DMP10H4D2SQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT23 T&R
DMP10H4D2SQ-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Grade：
Automotive
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
Tension drain-source (Vdss)：
100 V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
1.8 nC @ 10 V
Type FET：
P-Channel
Qualification：
AEC-Q101
Colis/Caisse：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package d'appareil du fournisseur：
SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4V, 10V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
270mA (Ta)
Power Dissipation (Max)：
380mW (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
4.2Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
87 pF @ 25 V
