DMP26M1UPSW-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI5060
DMP26M1UPSW-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount, Wettable Flank
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type FET：
P-Channel
Colis/Caisse：
8-PowerTDFN
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
2.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)：
20 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
83A (Tc)
Package d'appareil du fournisseur：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
5392 pF @ 10 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
6mOhm @ 15A, 4.5V
Power Dissipation (Max)：
1.9W (Ta), 2.6W (Tc)
