DMP65H11D0HSS-13
MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R
DMP65H11D0HSS-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Colis/Caisse：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareil du fournisseur：
8-SO
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type FET：
P-Channel
Vgs (Max)：
±30V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
13 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss)：
600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
270mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
670 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)：
1.9W (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
11Ohm @ 270mA, 10V
