DMT10H009LFG-13
MOSFET N-CH 100V 13A/50A PWRDI
DMT10H009LFG-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Tension drain-source (Vdss)：
100 V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Colis/Caisse：
8-PowerVDFN
Power Dissipation (Max)：
2W (Ta), 30W (Tc)
Package d'appareil du fournisseur：
POWERDI3333-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
41 nC @ 10 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
13A (Ta), 50A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
8.5mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2361 pF @ 50 V
