DMT10H009LK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
DMT10H009LK3-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Tension drain-source (Vdss)：
100 V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Colis/Caisse：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Package d'appareil du fournisseur：
TO-252 (DPAK)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
90A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
1.7W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
20 nC @ 4.5 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
9mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2309 pF @ 50 V
