DMT10H009SK3-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
DMT10H009SK3-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
Tension drain-source (Vdss)：
100 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Colis/Caisse：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
34 nC @ 10 V
Package d'appareil du fournisseur：
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation (Max)：
1.7W (Ta)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
91A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
9.1mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2028 pF @ 50 V
