DMT10H072LFDFQ-7
MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
DMT10H072LFDFQ-7 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Grade：
Automotive
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Tension drain-source (Vdss)：
100 V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Colis/Caisse：
6-UDFN Exposed Pad
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
4A (Ta)
Power Dissipation (Max)：
1.8W (Ta)
Package d'appareil du fournisseur：
U-DFN2020-6 (Type F)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
4.5 nC @ 10 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
62mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
228 pF @ 50 V
