DMT10H075LE-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&
DMT10H075LE-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Tension drain-source (Vdss)：
100 V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Colis/Caisse：
TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
4A (Ta)
Power Dissipation (Max)：
2.4W (Ta)
Package d'appareil du fournisseur：
SOT-223-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
4.5 nC @ 10 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
65mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
228 pF @ 50 V
