DMT10H9M9LCT
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
DMT10H9M9LCT Specifications
Type de montage：
Through Hole
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Tension drain-source (Vdss)：
100 V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Colis/Caisse：
TO-220-3
Package d'appareil du fournisseur：
TO-220-3
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
8.5mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
40.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2309 pF @ 50 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
101A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
2.3W (Ta), 156W (Tc)
