DMT12H060LFDF-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
DMT12H060LFDF-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max)：
±8V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
1.5V, 4.5V
Colis/Caisse：
6-UDFN Exposed Pad
Package d'appareil du fournisseur：
U-DFN2020-6 (Type F)
Power Dissipation (Max)：
1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.4V @ 250µA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
4.4A (Ta)
Tension drain-source (Vdss)：
115 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
65mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
475 pF @ 50 V
