DMT12H090LFDF4-13
MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
DMT12H090LFDF4-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.2V @ 250µA
Vgs (Max)：
±12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
6 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
900mW (Ta)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
3.4A (Ta)
Tension drain-source (Vdss)：
115 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
3V, 10V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
90mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
251 pF @ 50 V
Package d'appareil du fournisseur：
X2-DFN2020-6
Colis/Caisse：
6-PowerXDFN
