DMT3009UFVW-13
MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI
DMT3009UFVW-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount, Wettable Flank
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Colis/Caisse：
8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.8V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss)：
30 V
Vgs (Max)：
±12V
Package d'appareil du fournisseur：
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
11mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
7.4 nC @ 10 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
10.6A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
894 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)：
1.2W (Ta), 2.6W (Tc)
