DMT30M9LPS-13
MOSFET BVDSS: 25V-30V POWERDI506
DMT30M9LPS-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
100A (Tc)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)：
30 V
Colis/Caisse：
8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur：
PowerDI5060-8 (Type K)
Power Dissipation (Max)：
2.6W (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
1mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
160.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
12121 pF @ 20 V
