DMT32M4LFG-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
DMT32M4LFG-7 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Colis/Caisse：
8-PowerVDFN
Tension drain-source (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur：
POWERDI3333-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
67 nC @ 10 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
1.7mOhm @ 20A, 10V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
30A (Ta), 100A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
1.1W
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
4366 pF @ 15 V
