DMT32M4LPSW-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI506
DMT32M4LPSW-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount, Wettable Flank
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
100A (Tc)
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)：
30 V
Colis/Caisse：
8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
68 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 1mA
Package d'appareil du fournisseur：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)：
2.3W (Ta), 83W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
3944 pF @ 15 V
