DMT35M4LFDF-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
DMT35M4LFDF-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Tension drain-source (Vdss)：
30 V
Colis/Caisse：
6-UDFN Exposed Pad
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
13A (Tc)
Package d'appareil du fournisseur：
U-DFN2020-6 (Type F)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
6mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
14.9 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
860mW (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1009 pF @ 15 V
