DMT6012LFV-13
MOSFET N-CH 60V 43.3A PWRDI3333
DMT6012LFV-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)：
60 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Colis/Caisse：
8-PowerVDFN
Package d'appareil du fournisseur：
PowerDI3333-8 (Type UX)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
22.2 nC @ 10 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
12mOhm @ 20A, 10V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
43.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1522 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
1.95W (Ta), 33.78W (Tc)
