DMT6012LPSW-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMT6012LPSW-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount, Wettable Flank
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)：
60 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Colis/Caisse：
8-PowerTDFN
Package d'appareil du fournisseur：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
22.2 nC @ 10 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
12mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1522 pF @ 30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
13.1A (Ta), 31.5A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
3.1W (Ta), 17.9W (Tc)
