DMT6015LFVW-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
DMT6015LFVW-7 Specifications
Type de montage:
Surface Mount, Wettable Flank
Type FET:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss):
60 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On):
4.5V, 10V
Température de fonctionnement:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Colis/Caisse:
8-PowerVDFN
Vgs (Max):
±16V
Package d'appareil du fournisseur:
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Rds activé (Max) @ Id, Vgs:
16mOhm @ 10A, 10V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C:
10A (Ta), 31.8A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
15.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
808 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max):
2.8W (Ta), 28.4W (Tc)