DMT62M7SPSW-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMT62M7SPSW-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount, Wettable Flank
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)：
60 V
Vgs (Max)：
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Colis/Caisse：
8-PowerTDFN
Power Dissipation (Max)：
2.5W (Ta), 125W (Tc)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
163A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
2.7mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
68.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
4973 pF @ 30 V
Package d'appareil du fournisseur：
PowerDI5060-8 (Type UX)
