DMT63M6LPSW-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMT63M6LPSW-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount, Wettable Flank
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)：
60 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Colis/Caisse：
8-PowerTDFN
Package d'appareil du fournisseur：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
96A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
4.1mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
44.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2479 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
2.7W (Ta), 70.6W (Tc)
