DMT64M1LCG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
DMT64M1LCG-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Colis/Caisse：
8-PowerVDFN
Power Dissipation (Max)：
1.2W (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
5.4mOhm @ 20A, 10V
Package d'appareil du fournisseur：
V-DFN3333-8 (Type B)
Tension drain-source (Vdss)：
65 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
16.7A (Ta), 67.8A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
51.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2626 pF @ 30 V
