DMT64M2LPSW-13
MOSFET N-CH 60V 20.7A/100A PWRDI
DMT64M2LPSW-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)：
60 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Colis/Caisse：
8-PowerTDFN
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
4.4mOhm @ 50A, 10V
Package d'appareil du fournisseur：
PowerDI5060-8 (Type Q)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
46.7 nC @ 10 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
20.7A (Ta), 100A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2799 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
2.8W (Ta), 83.3W (Tc)
