DMT64M8LCG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
DMT64M8LCG-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)：
60 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Colis/Caisse：
8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.4V @ 250µA
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
4.8mOhm @ 20A, 10V
Package d'appareil du fournisseur：
V-DFN3333-8 (Type B)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
47.5 nC @ 10 V
Power Dissipation (Max)：
990mW (Ta)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
16.1A (Ta), 77.8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2664 pF @ 30 V
