DMT67M8LSS-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
DMT67M8LSS-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Colis/Caisse：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareil du fournisseur：
8-SO
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)：
60 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
1.4W (Ta)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
12A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2130 pF @ 30 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
6.6mOhm @ 16.5A, 10V
