DMT8008SCT
MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
DMT8008SCT Specifications
Type de montage：
Through Hole
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Colis/Caisse：
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
34 nC @ 10 V
Package d'appareil du fournisseur：
TO-220-3
Tension drain-source (Vdss)：
80 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
111A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
7.5mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1950 pF @ 40 V
Power Dissipation (Max)：
2.4W (Ta), 167W (Tc)
