DMT8008SPS-13
MOSFET N-CH 80V 83A PWRDI5060-8
DMT8008SPS-13 Specifications
Type de montage:
Surface Mount
Type FET:
N-Channel
Technologie:
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On):
6V, 10V
Vgs (Max):
±20V
Température de fonctionnement:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
34 nC @ 10 V
Colis/Caisse:
8-PowerTDFN
Tension drain-source (Vdss):
80 V
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 1mA
Package d'appareil du fournisseur:
PowerDI5060-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1950 pF @ 40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C:
83A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs:
7.8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max):
1.3W (Ta), 83W (Tc)