DMTH10H009LFGQ-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
DMTH10H009LFGQ-7 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Grade：
Automotive
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Tension drain-source (Vdss)：
100 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Colis/Caisse：
8-PowerVDFN
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Package d'appareil du fournisseur：
POWERDI3333-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
41 nC @ 10 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)：
2.5W (Ta), 39W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2361 pF @ 50 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
12A (Ta), 46A (Tc)
