DMTH10H032LFVW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI33
DMTH10H032LFVW-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount, Wettable Flank
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Tension drain-source (Vdss)：
100 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Colis/Caisse：
8-PowerVDFN
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Power Dissipation (Max)：
1.7W (Ta)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
30mOhm @ 10A, 10V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
26A (Tc)
Package d'appareil du fournisseur：
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
683 pF @ 50 V
