DMTH12H007SK3-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V TO252 T&
DMTH12H007SK3-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Colis/Caisse：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
2W (Ta)
Package d'appareil du fournisseur：
TO-252 (DPAK)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
44 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss)：
120 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
86A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
8.9mOhm @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
3142 pF @ 60 V
