DMTH15H017LPSW-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
DMTH15H017LPSW-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount, Wettable Flank
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Colis/Caisse：
8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
50 nC @ 10 V
Tension drain-source (Vdss)：
150 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.6V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
8A (Ta), 50A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
17.5mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
3369 pF @ 75 V
Power Dissipation (Max)：
1.5W (Ta), 107W (Tc)
