DMTH47M2LPSW-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
DMTH47M2LPSW-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount, Wettable Flank
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)：
40 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Colis/Caisse：
8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
14 nC @ 10 V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
7.3mOhm @ 20A, 10V
Package d'appareil du fournisseur：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
73A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
891 pF @ 20 V
