DMTH4M70SPGWQ-13
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
DMTH4M70SPGWQ-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Grade：
Automotive
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)：
40 V
Vgs (Max)：
±20V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 250µA
Colis/Caisse：
SOT-1235
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
460A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
0.7mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
117.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
10053 pF @ 20 V
Power Dissipation (Max)：
5.6W (Ta), 428W (Tc)
Package d'appareil du fournisseur：
PowerDI8080-5
