DMTH6005LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMTH6005LPSWQ-13 Specifications
Grade：
Automotive
Type de montage：
Surface Mount, Wettable Flank
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)：
60 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Colis/Caisse：
8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Package d'appareil du fournisseur：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
5.5mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2962 pF @ 30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
20.6A (Ta), 100A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
3.2W (Ta), 150W (Tc)
