DMTH6006LPSW-13
MOSFET N-CH 60V 17.2A/100A PWRDI
DMTH6006LPSW-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)：
60 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Colis/Caisse：
8-PowerTDFN
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
6.5mOhm @ 20A, 10V
Package d'appareil du fournisseur：
PowerDI5060-8 (Type Q)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
17.2A (Ta), 100A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
34.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2162 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
2.88W (Ta), 100W (Tc)
