DMTH6009LPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
DMTH6009LPSWQ-13 Specifications
Grade：
Automotive
Type de montage：
Surface Mount, Wettable Flank
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)：
60 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Vgs(th) (Max) @ Id：
2V @ 250µA
Colis/Caisse：
8-PowerTDFN
Vgs (Max)：
±16V
Package d'appareil du fournisseur：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
10mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1925 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
2.8W (Ta), 136W (Tc)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
11.76A (Ta), 89.5A (Tc)
