DMTH6010LPSWQ-13
MOSFET N-CH 60V 15.5A/80A PWRDI
DMTH6010LPSWQ-13 Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Grade：
Automotive
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)：
60 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Colis/Caisse：
8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
2090 pF @ 30 V
Package d'appareil du fournisseur：
PowerDI5060-8 (Type Q)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
15.5A (Ta), 80A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
2.9W (Ta), 75W (Tc)
