DMTH6016LFVWQ-7-A
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
DMTH6016LFVWQ-7-A Specifications
Grade：
Automotive
Type de montage：
Surface Mount, Wettable Flank
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)：
60 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
Colis/Caisse：
8-PowerVDFN
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
16mOhm @ 20A, 10V
Package d'appareil du fournisseur：
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
15.1 nC @ 10 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
41A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
939 pF @ 30 V
Power Dissipation (Max)：
1.17W (Ta)
