DMTH69M8LFVW-7
MOSFET N-CH 60V 15.9/45.4A PWRDI
DMTH69M8LFVW-7 Specifications
Type de montage：
Surface Mount, Wettable Flank
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss)：
60 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.5V, 10V
Colis/Caisse：
8-PowerVDFN
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Vgs (Max)：
±16V
Package d'appareil du fournisseur：
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1925 pF @ 30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
15.9A (Ta), 45.4A (Tc)
Power Dissipation (Max)：
3.6W (Ta), 29.4W (Tc)
