DMTH8008SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
DMTH8008SPSWQ-13 Specifications
Grade：
Automotive
Type de montage：
Surface Mount, Wettable Flank
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
6V, 10V
Vgs (Max)：
±20V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
34 nC @ 10 V
Colis/Caisse：
8-PowerTDFN
Tension drain-source (Vdss)：
80 V
Vgs(th) (Max) @ Id：
4V @ 1mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1950 pF @ 40 V
Package d'appareil du fournisseur：
PowerDI5060-8 (Type UX)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
92A (Tc)
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
7.8mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max)：
1.6W (Ta), 100W (Tc)
