DMWS120H100SM4
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
DMWS120H100SM4 Specifications
Type de montage：
Through Hole
Type FET：
N-Channel
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)：
1200 V
Package d'appareil du fournisseur：
TO-247-4
Colis/Caisse：
TO-247-4
Technologie：
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
15V
Power Dissipation (Max)：
208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id：
3.5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
52 nC @ 15 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
37.2A (Tc)
Vgs (Max)：
+19V, -8V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
100mOhm @ 20A, 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
1516 pF @ 1000 V
