ZXMN10B08E6QTA
MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT26 T&R
ZXMN10B08E6QTA Specifications
Type de montage：
Surface Mount
Colis/Caisse：
SOT-23-6
Type FET：
N-Channel
Technologie：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)：
±20V
Tension drain-source (Vdss)：
100 V
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
Power Dissipation (Max)：
1.1W (Ta)
Package d'appareil du fournisseur：
SOT-26
Courant - Drain continu (Id) à 25°C：
1.6A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：
9.2 nC @ 10 V
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：
4.3V, 10V
Rds activé (Max) @ Id, Vgs：
230mOhm @ 1.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：
497 pF @ 50 V
