DMN2014LHAB-13
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
DMN2014LHAB-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
パッケージ・ケース：
6-UFDFN Exposed Pad
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
9A (Ta)
構成：
2 N-Channel (Dual)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.1V @ 250µA
パワー - 最大：
800mW (Ta)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
16nC @ 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
1550pF @ 10V
サプライヤーデバイスパッケージ：
U-DFN2030-6 (Type B)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
13mOhm @ 4A, 4.5V
