DMN63D1LVQ-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT563 T&R
DMN63D1LVQ-7 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
学年：
Automotive
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Qualification：
AEC-Q101
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 1mA
パッケージ・ケース：
SOT-563, SOT-666
サプライヤーデバイスパッケージ：
SOT-563
構成：
2 N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
2Ohm @ 500mA, 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
41pF @ 30V
パワー - 最大：
450mW (Ta)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
477mA (Ta)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
1.04nC @ 10V
