DMT10H072LDV-7
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
DMT10H072LDV-7 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ・ケース：
8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id：
3V @ 250µA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
12A (Tc)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
100V
構成：
2 N-Channel
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerDI3333-8 (Type UXC)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
4.5nC @ 10V
パワー - 最大：
1W (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
66mOhm @ 4.5A, 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
228pF @ 50V
