DMT35M8LDG-13
MOSFET 2N-CH 30V 17A PWRDI3333
DMT35M8LDG-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
30V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ・ケース：
8-PowerVDFN
構成：
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.9V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerDI3333-8 (Type G)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
17A (Ta), 15.3A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
4.7mOhm @ 20A, 10V, 5.8mOhm @ 18A, 10V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
22.7nC @ 10V, 16.3nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
1510pF @ 15V, 1032pF @ 15V
パワー - 最大：
980mW (Ta), 2W (Tc)
