DMT6011LPDW-13
MOSFET 2N-CH 60V 10.3A POWERDI50
DMT6011LPDW-13 Specifications
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
パッケージ・ケース：
8-PowerTDFN
構成：
2 N-Channel (Dual)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
14mOhm @ 10A, 10V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60V
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerDI5060-8 (Type UXD)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
22.2nC @ 10V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
10.3A (Ta), 40A (Tc)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
1072pF @ 30V
パワー - 最大：
2.5W (Ta), 37.9W (Tc)
