DMN10H220LDV-7
MOSFET 2N-CH 100V PWRDI3333
DMN10H220LDV-7 Specifications
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id：
2.5V @ 250µA
패키지/케이스：
8-PowerVDFN
구성：
2 N-Channel (Dual)
드레인-소스 전압(Vdss)：
100V
공급자 장치 패키지：
PowerDI3333-8 (Type UXC)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
10.5A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
222mOhm @ 2A, 10V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
6.7nC @ 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
366pF @ 50V
전력 - 최대：
1.8W (Ta), 40W (Tc)
