DMN2014LHAB-13
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN
DMN2014LHAB-13 Specifications
장착 유형：
Surface Mount
패키지/케이스：
6-UFDFN Exposed Pad
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
9A (Ta)
구성：
2 N-Channel (Dual)
드레인-소스 전압(Vdss)：
20V
Vgs(th) (Max) @ Id：
1.1V @ 250µA
전력 - 최대：
800mW (Ta)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
16nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
1550pF @ 10V
공급자 장치 패키지：
U-DFN2030-6 (Type B)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
13mOhm @ 4A, 4.5V
