DMN2991UDR4-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.5A 6DFN
DMN2991UDR4-7 Specifications
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature：
Logic Level Gate
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
구성：
2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id：
1V @ 250µA
드레인-소스 전압(Vdss)：
20V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
500mA (Ta)
패키지/케이스：
6-XFDFN Exposed Pad
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
990mOhm @ 100mA, 4.5V
전력 - 최대：
380mW (Ta)
공급자 장치 패키지：
X2-DFN1010-6 (Type UXC)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
0.28nC @ 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
14.6pF @ 16V
